評(píng)價(jià)信息：
影響因子：1
年發(fā)文量：26
《集成電路設(shè)備和系統(tǒng)》(Iet Circuits Devices & Systems)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國(guó)際期刊。該刊由Wiley出版商創(chuàng)刊于2007年，刊期Bi-monthly。該刊已被國(guó)際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展，及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為1。CiteScore指數(shù)值為3.8。
IET Circuits, Devices & Systems covers the following topics:
Circuit theory and design, circuit analysis and simulation, computer aided design
Filters (analogue and switched capacitor)
Circuit implementations, cells and architectures for integration including VLSI
Testability, fault tolerant design, minimisation of circuits and CAD for VLSI
Novel or improved electronic devices for both traditional and emerging technologies including nanoelectronics and MEMs
Device and process characterisation, device parameter extraction schemes
Mathematics of circuits and systems theory
Test and measurement techniques involving electronic circuits, circuits for industrial applications, sensors and transducers
IET 電路、器件與系統(tǒng)涵蓋以下主題：
電路理論與設(shè)計(jì)、電路分析與仿真、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
濾波器（模擬和開關(guān)電容器）
電路實(shí)現(xiàn)、單元和集成架構(gòu)（包括 VLSI）
可測(cè)試性、容錯(cuò)設(shè)計(jì)、電路最小化和 VLSI 的 CAD
用于傳統(tǒng)和新興技術(shù)（包括納米電子學(xué)和 MEM）的新型或改進(jìn)電子設(shè)備
器件和工藝特性、器件參數(shù)提取方案
電路和系統(tǒng)理論的數(shù)學(xué)
涉及電子電路、工業(yè)應(yīng)用電路、傳感器和換能器的測(cè)試和測(cè)量技術(shù)
《Iet Circuits Devices & Systems》(集成電路設(shè)備和系統(tǒng))編輯部通訊方式為WILEY, 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。如果您需要協(xié)助投稿或潤(rùn)稿服務(wù)，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時(shí)間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版（試行）》,升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分,基礎(chǔ)版和升級(jí)版（試行）將過渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí)：Q4
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 285 / 352 |
19.2% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 287 / 354 |
19.07% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 69.13% | 96.15% | 0.07... |
| 開源占比 | 出版國(guó)人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.27... | 0.12 | 0.01... |
名詞解釋：JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||
| 3.8 | 0.289 | 0.595 |
|
名詞解釋：CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫(kù)Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| India | 169 |
| CHINA MAINLAND | 68 |
| Iran | 53 |
| USA | 35 |
| Canada | 22 |
| Taiwan | 21 |
| South Korea | 17 |
| Turkey | 14 |
| Egypt | 9 |
| France | 9 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SY... | 47 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 37 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 17 |
| JADAVPUR UNIVERSITY | 11 |
| XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY | 10 |
| SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KERMAN (SBU... | 8 |
| BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE ... | 6 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 6 |
| ANNA UNIVERSITY | 5 |
| BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 5 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Novel CNFET ternary circuit techniques f... | 10 |
| Novel CMOS MO-CFDITA based fully electro... | 7 |
| Efficient designs of reversible latches ... | 7 |
| Efficient design of coplanar ripple carr... | 7 |
| Widely tunable low-pass g(m) - C filter ... | 6 |
| Tuning approach for first-order filters ... | 6 |
| Transmission gate-based 9T SRAM cell for... | 6 |
| Fault-tolerant delay cell for ring oscil... | 5 |
| Light activation of noise at microwave f... | 5 |
| Analytical modelling and parameters extr... | 5 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE ACCESS | 43 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 35 |
| MICROELECTRON J | 34 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 29 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 22 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 21 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 17 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 13 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 11 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 200 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 184 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 142 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 98 |
| ELECTRON LETT | 92 |
| IEEE T POWER ELECTR | 83 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
| IEEE T VLSI SYST | 82 |
| IEEE T COMPUT AID D | 53 |
| IEEE T MICROW THEORY | 52 |
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：7.7
審稿周期：約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個(gè)月 約7.8周
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：8.1
審稿周期：約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個(gè)月 約6.8周
中科院分區(qū)：3區(qū)
影響因子：3.3
審稿周期：約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：98.4
審稿周期： 約3月
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.8
審稿周期： 約2.4個(gè)月 約7.6周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期： 約1.9個(gè)月 約2.7周
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