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      Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

      評價信息: 加入收藏

      影響因子:2.5

      年發(fā)文量:72

      IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

      Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

      《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本以工程技術-工程:電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于2001年,刊期Quarterly。該刊已被國際重要權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術-工程:電子與電氣領域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領域的研究成果,致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為2.5。CiteScore指數(shù)值為4.8。

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      期刊簡介預計審稿時間: 較慢,6-12周

      The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

      出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質產(chǎn)品的基礎。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設計出來。這個不斷提高可靠性和質量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結底,可靠性和質量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關注電子材料和設備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇??傮w目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關重要。

      《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內容。

      中科院分區(qū)

      2023年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

      2022年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

      2021年12月舊的升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

      2021年12月基礎版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū)

      2021年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

      2020年12月舊的升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)
      名詞解釋:

      基礎版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

      升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

      JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

      JCR分區(qū)等級:Q2

      按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

      53.3%

      學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

      51.7%

      按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

      47.6%

      學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

      44.97%

      Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
      24.52% 97.22% 0.05
      開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
      0.05... 0.14 -

      名詞解釋:JCR分區(qū)在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。

      CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

      CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
      4.8 0.436 1.148
      學科類別 分區(qū) 排名 百分位
      大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

      68%

      大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

      65%

      大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

      63%

      名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。

      數(shù)據(jù)趨勢圖

      歷年中科院分區(qū)趨勢圖

      歷年IF值(影響因子)

      歷年引文指標和發(fā)文量

      歷年自引數(shù)據(jù)

      發(fā)文數(shù)據(jù)

      2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

      國家/地區(qū) 數(shù)量
      USA 52
      CHINA MAINLAND 51
      India 50
      Taiwan 35
      France 20
      Italy 18
      Belgium 15
      Austria 14
      Japan 13
      GERMANY (FED REP GER) 12

      2019-2021年機構發(fā)文量統(tǒng)計

      機構 數(shù)量
      INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 23
      IMEC 15
      CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 14
      STMICROELECTRONICS 10
      TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
      NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
      NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
      COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
      GLOBALFOUNDRIES 7
      CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6

      2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

      文章引用名稱 引用次數(shù)
      A First-Principles Study of the SF6 Deco... 23
      Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its... 9
      Comparative Thermal and Structural Chara... 9
      Output-Power Enhancement for Hot Spotted... 8
      Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T... 7
      Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi... 7
      Impacts of Process and Temperature Varia... 6
      Comparative Study of Reliability of Ferr... 6
      A Compact and Self-Isolated Dual-Directi... 6
      A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat... 6

      2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

      被引用期刊名稱 數(shù)量
      IEEE T ELECTRON DEV 127
      IEEE T DEVICE MAT RE 93
      MICROELECTRON RELIAB 88
      IEEE ACCESS 47
      IEEE T NUCL SCI 37
      IEEE ELECTR DEVICE L 36
      IEICE ELECTRON EXPR 35
      IEEE T POWER ELECTR 31
      J MATER SCI-MATER EL 31
      ELECTRONICS-SWITZ 30

      2019-2021年引用數(shù)據(jù)

      引用期刊名稱 數(shù)量
      IEEE T ELECTRON DEV 167
      IEEE T NUCL SCI 116
      MICROELECTRON RELIAB 100
      IEEE T DEVICE MAT RE 93
      IEEE ELECTR DEVICE L 69
      APPL PHYS LETT 59
      J APPL PHYS 44
      IEEE T COMP PACK MAN 24
      IEEE J SOLID-ST CIRC 23
      IEEE T POWER ELECTR 23

      相關期刊

      免責聲明

      若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。