評價信息：
影響因子：1.5
年發(fā)文量：197
《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報B》(Journal Of Vacuum Science & Technology B)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由A V S AMER INST PHYSICS出版商創(chuàng)刊于1991年，刊期Bimonthly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點研究和前沿進(jìn)展，及時刊載和報道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為1.5。
Journal of Vacuum Science & Technology B emphasizes processing, measurement and phenomena associated with micrometer and nanometer structures and devices. Processing may include vacuum processing, plasma processing and microlithography among others, while measurement refers to a wide range of materials and device characterization methods for understanding the physics and chemistry of submicron and nanometer structures and devices.
《真空科學(xué)與技術(shù)雜志 B》側(cè)重于微米和納米結(jié)構(gòu)及設(shè)備相關(guān)的加工、測量和現(xiàn)象。加工可能包括真空加工、等離子加工和微光刻等，而測量則涉及各種材料和設(shè)備表征方法，用于了解亞微米和納米結(jié)構(gòu)及設(shè)備的物理和化學(xué)性質(zhì)。
《Journal Of Vacuum Science & Technology B》(真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報B)編輯部通訊方式為A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù)，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表升級版（試行）》,升級版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴(kuò)展至18個，科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級版之分,基礎(chǔ)版和升級版（試行）將過渡共存三年時間。
JCR分區(qū)等級：Q3
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 16.37% | 96.45% | 0.14... |
| 開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.22... | -- | 0.12... |
名詞解釋：JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
歷年中科院分區(qū)趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Review Article: Synthesis, properties, a... | 21 |
| Review Article: Atomic layer deposition ... | 14 |
| Tutorial on interpreting x-ray photoelec... | 9 |
| Future prospects of fluoride based upcon... | 7 |
| Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 wit... | 7 |
| High-density energy storage in Si-doped ... | 6 |
| Minimal domain size necessary to simulat... | 6 |
| Direct metal etch of ruthenium for advan... | 6 |
| Reduced twinning and surface roughness o... | 6 |
| Atomic force microscope integrated with ... | 6 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| JPN J APPL PHYS | 267 |
| J APPL PHYS | 249 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| APPL SURF SCI | 152 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
| ACS APPL MATER INTER | 126 |
| NANOTECHNOLOGY | 121 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| ECS J SOLID STATE SC | 105 |
| MATER RES EXPRESS | 94 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 314 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| J APPL PHYS | 198 |
| PHYS REV B | 108 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
| NANO LETT | 77 |
| THIN SOLID FILMS | 66 |
| APPL SURF SCI | 62 |
| MICROELECTRON ENG | 62 |
| NANOTECHNOLOGY | 62 |
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：7.7
審稿周期：約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個月 約7.8周
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：8.1
審稿周期：約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個月 約6.8周
中科院分區(qū)：3區(qū)
影響因子：3.3
審稿周期：約17.72天 11 Weeks
中科院分區(qū)：1區(qū)
影響因子：98.4
審稿周期： 約3月
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.8
審稿周期： 約2.4個月 約7.6周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期： 約1.9個月 約2.7周
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。
