《IEEE 電子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商創(chuàng)刊于1980年，刊期Monthly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的重點(diǎn)研究和前沿進(jìn)展，及時(shí)刊載和報(bào)道該領(lǐng)域的研究成果，致力于成為該領(lǐng)域同行進(jìn)行快速學(xué)術(shù)交流的信息窗口與平臺(tái)。該刊2023年影響因子為4.1。CiteScore指數(shù)值為8.2。
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)性和重要貢獻(xiàn)，涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料，應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電學(xué)、成像、微執(zhí)行器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、功率集成電路和微傳感器。
《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 電子器件字母)編輯部通訊方式為IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務(wù)，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務(wù)十年，熟悉發(fā)表政策，可為您提供一對(duì)一投稿指導(dǎo)，避免您在投稿時(shí)頻繁碰壁，節(jié)省您的寶貴時(shí)間，有效提升發(fā)表機(jī)率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽(yù)為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會(huì)泄露您的個(gè)人信息或稿件內(nèi)容。
2023年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
2022年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
2021年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
基礎(chǔ)版：即2019年12月17日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表》；將JCR中所有期刊分為13個(gè)大類，期刊范圍只有SCI期刊。
升級(jí)版：即2020年1月13日，正式發(fā)布的《2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表升級(jí)版（試行）》，升級(jí)版采用了改進(jìn)后的指標(biāo)方法體系對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素，也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè)，科研評(píng)價(jià)將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區(qū)表將只發(fā)布升級(jí)版結(jié)果，不再有基礎(chǔ)版和升級(jí)版之分，基礎(chǔ)版和升級(jí)版（試行）將過渡共存三年時(shí)間。
JCR分區(qū)等級(jí)：Q2
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 4.62% | 100.00% | 0.10... |
| 開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
| 0.05... | 0.35 | - |
名詞解釋：JCR分區(qū)在學(xué)術(shù)期刊評(píng)價(jià)、科研成果展示、科研方向引導(dǎo)以及學(xué)術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價(jià)值。通過對(duì)期刊影響因子的精確計(jì)算和細(xì)致劃分，JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)的相對(duì)位置，從而幫助科研人員準(zhǔn)確識(shí)別出高質(zhì)量的學(xué)術(shù)期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||
| 8.2 | 1.25 | 1.5 |
|
名詞解釋：CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評(píng)價(jià)體系。CiteScore 2021 的計(jì)算方式是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus，適用于所有連續(xù)出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認(rèn)為是影響因子最有力的競爭對(duì)手。
歷年中科院分區(qū)趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量
歷年自引數(shù)據(jù)
2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
2019-2021年機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a Threshol... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric Field Co... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-Process C... | 22 |
2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
2019-2021年引用數(shù)據(jù)
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：-
審稿周期：約Submission to first decision: 4 days; 較慢,6-12周
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：4.1
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：7.4
審稿周期： 15 Weeks
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：5.1
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：3.5
審稿周期：
中科院分區(qū)：2區(qū)
影響因子：6.3
審稿周期：
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