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      首頁 > 工程技術(shù) > 期刊介紹

      Semiconductor Science And Technology

      評價信息:

      影響因子:1.9

      年發(fā)文量:193

      半導體科技 SCIE

      Semiconductor Science And Technology

      《半導體科技》(Semiconductor Science And Technology)是一本以工程技術(shù)-材料科學:綜合綜合研究為特色的國際期刊。該刊由IOP Publishing Ltd.出版商創(chuàng)刊于1986年,刊期Monthly。該刊已被國際重要權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。期刊聚焦工程技術(shù)-材料科學:綜合領域的重點研究和前沿進展,及時刊載和報道該領域的研究成果,致力于成為該領域同行進行快速學術(shù)交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為1.9。CiteScore指數(shù)值為4.3。

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      期刊簡介預計審稿時間: 一般,3-6周

      Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

      The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

      fundamental properties

      materials and nanostructures

      devices and applications

      fabrication and processing

      new analytical techniques

      simulation

      emerging fields:

      materials and devices for quantum technologies

      hybrid structures and devices

      2D and topological materials

      metamaterials

      semiconductors for energy

      flexible electronics.

      《半導體科學與技術(shù)》致力于半導體研究,其多學科方法反映了該主題的深遠性質(zhì)。

      該期刊的范圍涵蓋非有機、有機和氧化物半導體及其界面和器件的性質(zhì)的基礎和應用實驗和理論研究,包括:

      基本性質(zhì)

      材料和納米結(jié)構(gòu)

      器件和應用

      制造和加工

      新分析技術(shù)

      模擬

      新興領域:

      量子技術(shù)材料和器件

      混合結(jié)構(gòu)和器件

      2D和拓撲材料

      超材料

      能源半導體

      柔性電子。

      《Semiconductor Science And Technology》(半導體科技)編輯部通訊方式為IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。如果您需要協(xié)助投稿或潤稿服務,您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年,熟悉發(fā)表政策,可為您提供一對一投稿指導,避免您在投稿時頻繁碰壁,節(jié)省您的寶貴時間,有效提升發(fā)表機率,確保SCI檢索(檢索不了全額退款)。我們視信譽為生命,多方面確保文章安全保密,在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內(nèi)容。

      中科院分區(qū)

      2023年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

      2022年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

      2021年12月舊的升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

      2021年12月基礎版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

      2021年12月升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

      2020年12月舊的升級版

      大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
      名詞解釋:

      基礎版:即2019年12月17日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表》;將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。

      升級版:即2020年1月13日,正式發(fā)布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表升級版(試行)》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續(xù)和改進,影響因子不再是分區(qū)的唯一或者決定性因素,也沒有了分區(qū)的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始,分區(qū)表將只發(fā)布升級版結(jié)果,不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版(試行)將過渡共存三年時間。

      JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

      JCR分區(qū)等級:Q3

      按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

      40.2%

      學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

      31.4%

      學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

      37.3%

      按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

      32.91%

      學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

      33.22%

      學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

      36.08%

      Gold OA文章占比 研究類文章占比 文章自引率
      10.23% 95.85% 0.05...
      開源占比 出版國人文章占比 OA被引用占比
      0.07... 0.19 0.04...

      名詞解釋:JCR分區(qū)在學術(shù)期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術(shù)交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分,JCR分區(qū)能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內(nèi)的相對位置,從而幫助科研人員準確識別出高質(zhì)量的學術(shù)期刊。

      CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

      CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
      4.3 0.411 0.741
      學科類別 分區(qū) 排名 百分位
      大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

      61%

      大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

      61%

      大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q2 137 / 317

      56%

      大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

      55%

      名詞解釋:CiteScore是基于Scopus數(shù)據(jù)庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年(含計算年度)的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數(shù)據(jù)庫Scopus,適用于所有連續(xù)出版物,而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊,比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。

      數(shù)據(jù)趨勢圖

      歷年中科院分區(qū)趨勢圖

      歷年IF值(影響因子)

      歷年引文指標和發(fā)文量

      歷年自引數(shù)據(jù)

      發(fā)文數(shù)據(jù)

      2019-2021年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

      國家/地區(qū) 數(shù)量
      CHINA MAINLAND 257
      USA 139
      India 121
      GERMANY (FED REP GER) 95
      South Korea 90
      England 64
      Japan 64
      France 55
      Russia 52
      Taiwan 31

      2019-2021年機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計

      機構(gòu) 數(shù)量
      CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 63
      INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 47
      RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES 42
      CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 41
      UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 34
      IMEC 20
      SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) 20
      FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITU... 18
      PEKING UNIVERSITY 18
      XIDIAN UNIVERSITY 17

      2019-2021年文章引用數(shù)據(jù)

      文章引用名稱 引用次數(shù)
      beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics ... 59
      Phase-change materials for non-volatile ... 53
      Metal oxide nanostructures for sensor ap... 29
      How to control defect formation in monol... 28
      Terahertz radiation detectors: the state... 21
      Structural, electronic and phononic prop... 19
      Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem pe... 18
      Biaxial strain tuned electronic structur... 17
      A comprehensive device modelling of pero... 15
      The transport and optical sensing proper... 15

      2019-2021年文章被引用數(shù)據(jù)

      被引用期刊名稱 數(shù)量
      J APPL PHYS 337
      SEMICOND SCI TECH 276
      PHYS REV B 205
      MATER RES EXPRESS 191
      APPL PHYS LETT 185
      JPN J APPL PHYS 169
      IEEE T ELECTRON DEV 145
      SCI REP-UK 134
      APPL SURF SCI 118
      J MATER SCI-MATER EL 118

      2019-2021年引用數(shù)據(jù)

      引用期刊名稱 數(shù)量
      APPL PHYS LETT 1311
      J APPL PHYS 761
      PHYS REV B 700
      IEEE T ELECTRON DEV 412
      PHYS REV LETT 332
      IEEE ELECTR DEVICE L 277
      SEMICOND SCI TECH 276
      NANO LETT 236
      THIN SOLID FILMS 162
      J CRYST GROWTH 150

      相關(guān)期刊

      免責聲明

      若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商:IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。