Journal of Semiconductors雜志簡介預(yù)計(jì)審稿時(shí)間：1-3個(gè)月

稿件需知：

a.文稿應(yīng)具有先進(jìn)性、科學(xué)性、實(shí)用性和邏輯性。論點(diǎn)明確，資料可靠，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，層次清楚，文字精煉，圖表簡明，統(tǒng)計(jì)學(xué)處理方法正確、規(guī)范。

b.范圍：包括但不限于半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體器件物理與模擬、光電子器件與光學(xué)通信等方面。

c.一級(jí)標(biāo)題用一、二、三……；二級(jí)標(biāo)題用（一）、（二）、（三）……；三級(jí)標(biāo)題用阿拉伯?dāng)?shù)字編號(hào)1.、2.、3.……；四級(jí)標(biāo)題用（1）、（2）、（3）……。

d.引言：主要介紹論文的研究背景、目的、范圍，簡要說明研究課題的意義以及前人的主張和學(xué)術(shù)觀點(diǎn)，已經(jīng)取得的成果以及作者的意圖與分析依據(jù)，包括論文擬解決的問題、研究范圍和技術(shù)方案等。

e.摘要應(yīng)具有獨(dú)立性和自明性，須說明論文的目的、方法、結(jié)果(包括主要數(shù)據(jù))和結(jié)論，著重于創(chuàng)新與發(fā)現(xiàn)，以300字左右為宜。

f.圖表在論文中按出現(xiàn)的先后順序編號(hào)并排在正文相應(yīng)位置。照片需清晰，線圖成比例。圖像最好單獨(dú)用JPEG或TIFF等文件格式編輯、保存。

g.稿件的注釋是作者對標(biāo)題和正文中某一特定內(nèi)容的解釋或補(bǔ)充說明，須放置在當(dāng)頁地腳注釋序號(hào)與文中標(biāo)注序號(hào)相一致（文中標(biāo)注序號(hào)用上標(biāo)），一律用阿拉伯?dāng)?shù)字加圓圈標(biāo)注：②……

h.參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻(xiàn)。

i.來稿請注明真實(shí)姓名、工作單位、職稱、詳細(xì)通訊地址和郵政編碼（若有變更請及時(shí)通知）、電子郵箱、電話和傳真號(hào)碼，以便聯(lián)絡(luò)。

j.獲基金資助的論文，應(yīng)標(biāo)識(shí)注明基金項(xiàng)目名稱及基金項(xiàng)目編號(hào)，應(yīng)按有關(guān)部門規(guī)定的正式名稱填寫；獲多項(xiàng)基金資助的應(yīng)依次列出。

雜志簡介：

Journal of Semiconductors（月刊）知識(shí)豐富，內(nèi)容廣泛，貼近大眾，自1980年創(chuàng)刊以來廣受好評，注重視角的宏觀性、全局性和指導(dǎo)性，在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。

《Journal of Semiconductors》雜志目前是中國半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域內(nèi)權(quán)威的學(xué)術(shù)期刊之一。雜志致力于報(bào)道半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究進(jìn)展和技術(shù)應(yīng)用的成果，涵蓋的領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件與技術(shù)、半導(dǎo)體材料與制備、量子電子與光電子學(xué)、微納電子技術(shù)等。該雜志特別注重中國本土的半導(dǎo)體研究成果，并且積極吸納國際上的高水平論文，使其成為了一個(gè)國際化的學(xué)術(shù)期刊。主要讀者包括半導(dǎo)體學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家、學(xué)者、研究人員、研究生和本科生等，該雜志作為一本重要的學(xué)術(shù)期刊，對推動(dòng)中國半導(dǎo)體研究的發(fā)展、加強(qiáng)國際半導(dǎo)體研究交流和促進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新都有著重要的意義。