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評價信息：

影響因子：0.34

總被引頻次： 667

半導體技術雜志北大期刊統(tǒng)計源期刊

Semiconductor Technology

主管單位：中國電子科技集團公司
主辦單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
全年訂價：￥ 316.00

國際刊號：1003-353X
國內刊號：13-1109/TN
創(chuàng)刊時間：1976年

出版地區(qū)：河北
發(fā)行周期：月刊
審稿時間：1-3個月

期刊收錄：

北大期刊(中國人文社會科學期刊)統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)知網收錄(中)維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學文摘(美)SA 科學文摘(英)JST 日本科學技術振興機構數(shù)據(jù)庫(日)Pж(AJ) 文摘雜志(俄)劍橋科學文摘國家圖書館館藏上海圖書館館藏

期刊榮譽：

Caj-cd規(guī)范獲獎期刊中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）中國科技期刊優(yōu)秀期刊北大圖書館收錄期刊

主要欄目：

趨勢與展望半導體集成電路半導體器件半導體制備技術先進封裝技術

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半導體技術雜志簡介預計審稿時間：1-3個月

稿件需知：

a.來稿只要觀點明確，言之有物，論證嚴密，說理透徹。

b.內文中的文字論述清楚明了，要使用規(guī)范詞語。

c.第一作者簡介：姓名（出生年－），性別（民族——漢族可省略），籍貫（具體到縣級），職稱職務，學位，研究方向（此項可省略）。

d.論文須附中、英文摘要；中文摘要200—300字，英文摘要150—200詞。另請擇出能反映全文主要內容的關鍵詞2—4個。

e.參考文獻按出現(xiàn)的次序列在文末，并在文中對應位置以右上角方括弧中的數(shù)字表示。詳細參考文獻格式，見往期雜志。

雜志簡介：

半導體技術雜志月刊知識豐富，內容廣泛，貼近大眾，自1976年創(chuàng)刊以來廣受好評，注重視角的宏觀性、全局性和指導性，在業(yè)界形成了一定影響和良好口碑。

半導體技術雜志“向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場”，是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。

、

半導體技術歷史收錄

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中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2015-2016）
中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2013-2014）
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統(tǒng)計數(shù)據(jù)

被引次數(shù)和發(fā)文量統(tǒng)計數(shù)據(jù)

雜志被引次數(shù)

雜志發(fā)文量

年度被引次數(shù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章見刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

在2012年的被引次數(shù)

2 38 71 74 69 49 55 31 33 23

被本刊自己引用的次數(shù)

0 7 21 14 13 4 5 4 4 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0038 0.0766 0.2126 0.3544 0.4866 0.5805 0.6858 0.7452 0.8084 0.8525

本刊文章見刊的年份

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

在2013年的被引次數(shù)

7 43 37 71 64 68 46 44 24 25

被本刊自己引用的次數(shù)

4 10 11 7 7 4 3 1 0 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0132 0.094 0.1635 0.297 0.4173 0.5451 0.6316 0.7143 0.7594 0.8064

本刊文章見刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次數(shù)

5 38 52 57 63 68 56 48 29 32

被本刊自己引用的次數(shù)

2 17 8 9 7 9 4 5 0 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0088 0.0753 0.1664 0.2662 0.3765 0.4956 0.5937 0.6778 0.7285 0.7846

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

在2015年的被引次數(shù)

13 31 51 54 57 59 66 65 46 26

被本刊自己引用的次數(shù)

4 7 17 6 6 5 7 9 1 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0205 0.0695 0.1501 0.2354 0.3254 0.4186 0.5229 0.6256 0.6983 0.7393

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次數(shù)

10 49 48 57 45 48 60 43 34 36

被本刊自己引用的次數(shù)

2 13 14 10 4 3 8 5 6 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0178 0.105 0.1904 0.2918 0.3719 0.4573 0.5641 0.6406 0.7011 0.7651

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次數(shù)

17 45 52 45 47 51 45 47 38 49

被本刊自己引用的次數(shù)

6 10 8 12 15 3 5 1 3 5

被引次數(shù)的累積百分比

0.028 0.102 0.1875 0.2615 0.3388 0.4227 0.4967 0.574 0.6365 0.7171

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次數(shù)

16 52 54 36 39 33 46 41 48 35

被本刊自己引用的次數(shù)

5 15 8 10 3 0 6 3 2 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0277 0.1176 0.2111 0.2734 0.3408 0.3979 0.4775 0.5484 0.6315 0.692

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次數(shù)

16 59 67 49 47 40 32 41 31 42

被本刊自己引用的次數(shù)

6 16 19 10 6 7 4 5 3 8

被引次數(shù)的累積百分比

0.0258 0.1208 0.2287 0.3076 0.3833 0.4477 0.4992 0.5652 0.6151 0.6828

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次數(shù)

13 78 69 72 39 48 32 26 33 30

被本刊自己引用的次數(shù)

8 21 19 13 18 7 10 7 4 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.0189 0.1323 0.2326 0.3372 0.3939 0.4637 0.5102 0.548 0.5959 0.6395

本刊文章見刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2021年的被引次數(shù)

19 69 107 70 59 30 37 20 23 24

被本刊自己引用的次數(shù)

3 18 28 21 23 8 7 4 8 5

被引次數(shù)的累積百分比

0.0288 0.1335 0.2959 0.4021 0.4917 0.5372 0.5933 0.6237 0.6586 0.695

本刊文章見刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次數(shù)

9 79 68 71 51 48 37 20 22 22

被本刊自己引用的次數(shù)

1 18 9 6 5 8 3 1 3 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0137 0.1335 0.2367 0.3445 0.4219 0.4947 0.5508 0.5812 0.6146 0.648

文章摘錄

FinFET刻蝕中刻蝕選擇比及離子損傷的控制與優(yōu)化

藍光發(fā)射鈣鈦礦薄膜的制備與光學特性

退火溫度對TiO2/ZnO復合納米棒光學性能的影響

硫化氣壓對溶膠-凝膠法制備CuSbS2薄膜性能的影響

封裝工藝對SiC功率模塊熱電性能的影響

28nm工藝制程SRAM高低溫失效分析

2019年主要欄目設置

陶瓷封裝倒裝焊器件熱學環(huán)境可靠性評估

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